3

Step-bunching in SiC epitaxy: anisotropy and influence of growth temperature

Année:
2002
Langue:
english
Fichier:
PDF, 243 KB
english, 2002
10

Growth of SiC from the liquid phase: wetting and dissolution of SiC

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 695 KB
english, 1997
13

Fast epitaxy by PVT of SiC in hydrogen atmosphere

Année:
2005
Langue:
english
Fichier:
PDF, 342 KB
english, 2005
16

Liquid phase epitaxial growth of SiC

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 707 KB
english, 1999
18

Cross-sectional cleavages of SiC for evaluation of epitaxial layers

Année:
2000
Langue:
english
Fichier:
PDF, 542 KB
english, 2000
21

Lateral enlargement of silicon carbide crystals

Année:
2004
Langue:
english
Fichier:
PDF, 414 KB
english, 2004
32

Stress related morphological defects in SiC epitaxial layers

Année:
2001
Langue:
english
Fichier:
PDF, 650 KB
english, 2001
33

Preferential etching of SiC crystals

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1.01 MB
english, 1997
38

Progress in 3C-SiC Growth and Novel Applications

Année:
2012
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1.23 MB
english, 2012
40

Step-bunching in 6H-SiC growth by sublimation epitaxy

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 318 KB
english, 1999
44

Graphene Materials (Fundamentals and Emerging Applications) || Front Matter

Année:
2015
Langue:
english
Fichier:
PDF, 133 KB
english, 2015